| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,滿足个(gè)性(xìng)化(huà)需求
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻因具有(yǒu)良好的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)特(tè)性(xìng)而(ér)成(chéng)为(wèi)低(dī)压電(diàn)源系(xì)統和(hé)信(xìn)息系(xì)統中(zhōng)電(diàn)湧防護的(de)主要(yào)設施。其(qí)可(kě)靠性(xìng)主要(yào)取(qǔ)決于压敏電(diàn)阻耐受電(diàn)湧沖击的(de)能(néng)力。一(yī)个(gè)性(xìng)能(néng)良好的(de)氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻在(zài)經(jīng)受電(diàn)湧沖击以後(hòu),其(qí)電(diàn)气(qì)特(tè)性(xìng)應(yìng)返回(huí)到(dào)初始狀态。然而(ér)在(zài)運行过(guò)程中(zhōng),由于經(jīng)受諸如(rú)電(diàn)應(yìng)力、機(jī)械應(yìng)力等各(gè)種(zhǒng)應(yìng)力的(de)作(zuò)用(yòng),压敏電(diàn)阻会出(chū)現(xiàn)性(xìng)能(néng)劣化(huà)和(hé)老(lǎo)化(huà)現(xiàn)象(xiàng),这(zhè)就(jiù)降低(dī)了(le)压敏電(diàn)阻電(diàn)湧防護的(de)能(néng)力。研究人(rén)員采用(yòng)了(le)多種(zhǒng)測量(liàng)及(jí)診斷裝(zhuāng)置来(lái)研究压敏電(diàn)阻的(de)老(lǎo)化(huà)機(jī)理(lǐ)及(jí)檢測金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)压敏電(diàn)阻內(nèi)部(bù)的(de)狀态[1~2]。一(yī)般經(jīng)常采用(yòng)的(de)方(fāng)法(fǎ)是(shì)測量(liàng)直(zhí)流1mA下(xià)压敏電(diàn)阻两(liǎng)端的(de)電(diàn)压或(huò)者(zhě)測量(liàng)压敏電(diàn)阻在(zài)一(yī)定(dìng)幅值8/20電(diàn)流沖击下(xià)的(de)殘压来(lái)对(duì)压敏電(diàn)阻的(de)電(diàn)气(qì)性(xìng)能(néng)進(jìn)行分(fēn)析判斷。但是(shì)这(zhè)些測試方(fāng)法(fǎ)只(zhī)能(néng)反(fǎn)映压敏電(diàn)阻的(de)整體(tǐ)性(xìng)能(néng),不(bù)能(néng)反(fǎn)映压敏電(diàn)阻的(de)老(lǎo)化(huà)及(jí)劣化(huà)的(de)程度(dù),所(suǒ)以無法(fǎ)为(wèi)判斷压敏電(diàn)阻的(de)性(xìng)能(néng)狀态提(tí)供可(kě)靠的(de)判據(jù)。

源林(lín)電(diàn)子压敏電(diàn)阻免費取(qǔ)樣(yàng),一(yī)个(gè)電(diàn)話(huà)搞定(dìng)!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)工廠(chǎng)
氧化(huà)鋅压敏電(diàn)阻器是(shì)一(yī)種(zhǒng)以氧化(huà)鋅为(wèi)主體(tǐ)、添加多種(zhǒng)金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)、經(jīng)典型的(de)電(diàn)子陶瓷工藝制成(chéng)的(de)多晶半導體(tǐ)陶瓷元(yuán)件(jiàn)。氧化(huà)鋅陶瓷是(shì)由氧化(huà)鋅晶粒(lì)及(jí)晶界物(wù)質(zhì)組成(chéng)的(de),其(qí)中(zhōng)氧化(huà)鋅晶粒(lì)中(zhōng)摻有(yǒu)施主雜質(zhì)而(ér)呈N型半導體(tǐ),晶界物(wù)質(zhì)中(zhōng)含有(yǒu)大(dà)量(liàng)金(jīn)屬氧化(huà)物(wù)形成(chéng)大(dà)量(liàng)界面(miàn)态,这(zhè)樣(yàng)每一(yī)微觀單元(yuán)是(shì)一(yī)个(gè)背靠背肖特(tè)基勢壘,整个(gè)陶瓷就(jiù)是(shì)由許多背靠背肖特(tè)基垫(diàn)壘串並(bìng)聯的(de)組合體(tǐ)。

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,每个(gè)客戶的(de)个(gè)性(xìng)化(huà)需求不(bù)一(yī),想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器的(de)信(xìn)息,请撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子聯系(xì),謝謝!
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)技術(shù)团(tuán)隊更(gèng)專業
压敏電(diàn)阻交流作(zuò)用(yòng)下(xià)的(de)老(lǎo)化(huà)機(jī)理(lǐ)
交流作(zuò)用(yòng)下(xià)。在(zài)正(zhèng)半周时(shí),假設右(yòu)側为(wèi)正(zhèng)极(jí)性(xìng),電(diàn)压主要(yào)加在(zài)右(yòu)側的(de)耗盡层(céng)上(shàng),使右(yòu)側的(de)Zni向(xiàng)晶界遷移,而(ér)左側所(suǒ)加電(diàn)压很低(dī),Zn
i向(xiàng)晶粒(lì)內(nèi)遷移不(bù)大(dà);在(zài)負半周,電(diàn)压主要(yào)加在(zài)左側,使左側Zni向(xiàng)晶界遷移,右(yòu)側这(zhè)时(shí)所(suǒ)加電(diàn)压很低(dī),Zni向(xiàng)晶粒(lì)體(tǐ)內(nèi)遷移不(bù)大(dà)。总的(de)结果(guǒ)是(shì)左右(yòu)两(liǎng)側的(de)Zni都向(xiàng)晶界遷移。

源林(lín)電(diàn)子是(shì)一(yī)家專業研發(fà)、生(shēng)産压敏電(diàn)阻的(de)高科技電(diàn)子元(yuán)器件(jiàn)企業。主營压敏電(diàn)阻、热(rè)敏電(diàn)阻和(hé)温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器,自(zì)有(yǒu)研發(fà)团(tuán)隊,廠(chǎng)家直(zhí)銷!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |